4内存2026年一季度价格涨幅或达50%，NOR Flash涨幅预计为20%-30%，而高密度DDR3已陷入严重短缺，涨势预计贯穿上半年。
本轮存储芯片涨价的核心矛盾源于供给端的结构性收缩，这一格局的形成可追溯至两年前的行业调整。2023年，全球存储行业陷入近15年来最严重的亏损周期，三星、SK海力士、美光等头部厂商集体启动减产计划，形成覆盖产能、资本开支及产品结构的全方位收缩。摩根士丹利在报告中强调，传统存储芯片市场正经历前所未有的供需逆转——与市场此前普遍关注的DDR5、HBM（高带宽内存）等高端产品不同，此轮涨价的“急先锋”竟是技术相对成熟的DDR4、DDR3，以及NOR Flash、SLC/MLC NAND等产品。
AI浪潮下，先进制程的产能“虹吸效应”进一步加剧了传统存储芯片的供给缺口。为追求更高盈利，头部厂商将有限的晶圆资源大量投向HBM等高附加值产品。数据显示，HBM单价约为DDR5的5倍，三星12层堆叠HBM3E产品毛利率可达60%以上，显著高于传统DDR5的35%。2025年，HBM在DRAM总产能中的占比已达12%，但由于单颗HBM需消耗3倍于标准DRAM的晶圆资源，其实际占用的产能相当于传统DRAM产能的36%，进一步挤压了DDR4等成熟产品的产能空间。
更关键的是，此次减产并非短期周期性调整，而是伴随老旧产线永久关停的“刚性收缩”。三星、美光关闭的DDR4产线不仅重启成本高昂，且技术已相对落后，直接导致传统内存产能丧失弹性。三星内部调研数据显示，减产造成的传统DRAM产能缺口预计将持续至2027年。
作为本轮涨价的领涨品种，DDR4市场需求韧性超出预期。市场监测数据显示，DDR4 8Gb（3200MHz）产品在2025年第四季度环比暴涨42.9%，现货价格涨幅一度接近200%，凸显市场对缺货的恐慌情绪。2026年第一季度，该规格产品合约价预计再涨约50%，至每颗13.5美元左右，较2025年年中低点涨幅超两倍。一个戏剧性的市场循环进一步加剧了供需紧张：部分客户因DDR4缺货转向DDR5，却遭遇DDR5同样短缺的困境，被迫“回流”至DDR4市场，形成“涨价螺旋”。类似逻辑同样适用于DDR4与高密度DDR3——前者短缺引发的需求回流，进一步加大了本就处于减产状态的高密度DDR3的供应压力。
NOR Flash市场同步进入涨价通道。作为AI服务器、汽车电子的关键元器件，NOR Flash供给端呈现高度集中且扩产受限的特点。尽管市场涨价趋势迅猛，但行业龙头企业的调价动作相对谨慎，整体涨价节奏较为平稳。
对于国内存储厂商而言，此次存储芯片超级周期带来了结构性机遇，但挑战同样不容忽视。目前国内厂商仍面临明显技术壁垒，在HBM等先进领域与国际巨头差距显著；同时，代工厂涨价可能制约NOR Flash等品类的扩产节奏。摩根士丹利强调，当前存储芯片供需缺口短期内难以缓解：从供给端看，存储芯片产能建设周期长达18-24个月，国内新建产线需至2027年下半年才能逐步释放产能；若头部厂商加速释放成熟制程产能、AI需求不及预期或终端厂商库存调整超预期，可能导致价格涨幅收窄。
不过就当前市场格局而言，摩根士丹利明确表示“暂无悲观理由”，存储芯片行业正迎来新一轮盈利上行周期。
