在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的宽禁带半导体产品设计经理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我们在碳化硅（SiC）技术方面的最新进展。
随着可再生能源基础设施的迅速发展，宽禁带半导体正成为推动能源转型的关键技术。APCSCRM作为亚太地区的重要行业与学术交流平台，为芯片制造商、产业领导者和研究专家提供了宝贵的合作与洞察机会。
在此次大会上，Eric Guiot 进行了技术分享，分享的主题为《SmartSiC 工程化衬底：解决 SiC 功率器件双极退化的可靠方案》。这一创新技术展示了 Soitec 如何通过SmartSiC 工程化材料，助力行业突破性能瓶颈，推动下一代高效、可靠的 SiC 功率器件发展。
Soitec 将持续以创新材料推动功率电子的未来，与全球生态系统共同构建更可持续的能源基础设施。
